| 发明名称 | 非易失性存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器的制造方法。该存储器包括方法：形成绝缘材料层于基板上；形成电荷储存材料层于该绝缘材料层上；形成多层隧穿介电材料于该电荷储存材料层上；形成栅极电极材料层于该多层隧穿介电材料上；以及蚀刻该绝缘材料层、该电荷储存材料层、该多层隧穿介电材料及该栅极电极材料层，以形成存储器结构。在该绝缘材料层形成前或形成后，进行等离子体氮化工艺，或者在含氮气体的环境中进行热氮化工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101373711A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200810002644.9 | 申请日期 | 2008.01.14 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 王嗣裕;吕函庭 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器的制造方法，包括；(a)形成绝缘材料层于基板上；(b)形成电荷储存材料层于该绝缘材料层上；(c)形成多层隧穿介电材料于该电荷储存材料层上；(d)形成栅极电极材料层于该多层隧穿介电材料上；以及(e)蚀刻该绝缘材料层、该电荷储存材料层、该多层隧穿介电材料及该栅极电极材料层，以形成存储器结构，其中，在该绝缘材料层形成前或形成后，进行等离子体氮化工艺，或者在含氮气体的环境中进行热氮化工艺。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||