| 发明名称 | 电流镜像电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种电流镜像电路(40、50、60)，包括输入侧晶体管(Q<SUB>1</SUB>)或场效应晶体管以及输出侧晶体管(Q<SUB>2</SUB>)或场效应晶体管，所述输入侧晶体管或场效应晶体管与输出侧晶体管或场效应晶体管通过发射极或源极耦合，并与电压(U<SUB>B</SUB>，55)连接，所述输入侧晶体管或场效应晶体管以及输出侧晶体管或场效应晶体管通过各自的基极(45、46、57、58)或栅极彼此电耦合，并与场效应晶体管(Q<SUB>3</SUB>)以如下方式连接，即场效应晶体管(Q<SUB>3</SUB>)的源极(44)与两个晶体管(Q<SUB>1</SUB>、Q<SUB>2</SUB>)或场效应晶体管的基极(45、46、57、58)或栅极耦合，场效应晶体管(Q<SUB>3</SUB>)的漏极(47)与输入侧晶体管(Q<SUB>1</SUB>)或场效应晶体管的集电极(48)或漏极耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN101375499A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200780003947.6 | 申请日期 | 2007.01.25 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 斯蒂芬·布茨曼 |
| 分类号 | H03K17/082(2006.01);G05F3/26(2006.01) | 主分类号 | H03K17/082(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种电流镜像电路(40、50、60)，包括输入侧晶体管(Q1)或场效应晶体管以及输出侧晶体管(Q2)或场效应晶体管，所述输入侧晶体管或场效应晶体管以及输出侧晶体管或场效应晶体管通过发射极或源极耦合，并与电压(UB，55)连接，所述输入侧晶体管或场效应晶体管以及输出侧晶体管或场效应晶体管通过各自的基极(45、46、57、58)或栅极彼此电耦合，并与场效应晶体管(Q3)以如下方式连接，即场效应晶体管(Q3)的源极(44)与两个晶体管(Q1、Q2)或场效应晶体管的基极(45、46、57、58)或栅极耦合，场效应晶体管(Q3)的漏极(47)与输入侧晶体管(Q1)或场效应晶体管的集电极(48)或漏极耦合。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||