发明名称 Aktivering av overflater gjennom gassfasereaksjoner
摘要 <p>Det beskrives en fremgangsmåte for fremstilling av aktive overflater som avsluttes av en ønsket form av et organisk, organisk-uorganisk eller uorganisk art omfattende vekst med en gassfaseavsetningsteknikk som fortrinnsvis ALCVD (atomsjiktkjemisk dampavsetning). Som et eksempel har trimetylaluminium (TMA), hydrokinon (Hq) og floroglucinol (Phl) vært benyttet som forløpere for å gi overflater som avsluttes av hydroksylgrupper bundet til aromater. Ytterligere typer aktive overflater er beskrevet. Disse overflatene kan benyttes for å fremstille overflater egnet for adhesjon via bruk av lim eller andre midler, å tilveiebringe reseptorer for biologiske molekyler, å gjøre overflatene biokompatible, av katalytisk aktive materialer, der etterfølgende typer av kjemiske reaksjoner kan skje, med forskjellig grad av fukteegenskaper.</p>
申请公布号 NO20090199(A) 申请公布日期 2009.02.19
申请号 NO20090000199 申请日期 2009.01.13
申请人 UNIVERSITETET I OSLO 发明人 FJELLVAG HELMER;NILSEN OLA
分类号 C23C16/00;C23C16/455 主分类号 C23C16/00
代理机构 代理人
主权项
地址