| 发明名称 | 用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体 | ||
| 摘要 | 说明书中公开了用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体，特别是含碲(Te)前驱体、含Te硫属元素化物相变材料。说明书中还公开了使用ALD、CVD或循环CVD法制造含Te硫属元素化物相变材料的方法，其中至少一种公开的含碲(Te)前驱体引入该方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101367756A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200810125876.3 | 申请日期 | 2008.04.24 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 萧满超;T·R·加夫尼 |
| 分类号 | C07C395/00(2006.01);C23C16/30(2006.01) | 主分类号 | C07C395/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲;范赤 |
| 主权项 | 1.含Te组合物，包括具有以下一般结构的氘化有机碲酚：R-Te-D其中R选自含1—10个碳的直链、支链或环状形式的烷基或烯基；含C6-12 的芳基；二烷氨基；甲硅烷基和有机锗基。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||