| 发明名称 | 大面积玻璃绝缘底半导体 | ||
| 摘要 | 方法和装置提供了：使多个施主半导体晶片的各个第一表面与玻璃衬底接触；使用电解使该多个施主半导体晶片的第一表面与玻璃衬底结合；使该多个施主半导体晶片与玻璃衬底分离，从而使各个剥落层与玻璃衬底相结合；以及在剥落层的暴露表面上沉积另一半导体层来增加剥落层的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN101371347A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200680050101.3 | 申请日期 | 2006.10.26 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | K·P·加德卡里;A·M·马约利 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种在玻璃结构上形成半导体的方法，包括：使多个施主半导体晶片的各个第一表面与玻璃衬底接触；使用电解使所述多个施主半导体晶片的第一表面与所述玻璃衬底结合；使所述多个施主半导体晶片与所述玻璃衬底分离，从而使各个剥落层与所述玻璃衬底结合；以及在所述剥落层的暴露表面上沉积另一半导体层来增加所述剥落层的厚度。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||