薄膜磁头、万向头组件和磁盘驱动设备以及设计制造方法

摘要

一种薄膜磁头包括至少一个感应写头元件和至少一个读磁头元件，并且通过加热能够控制在磁记录媒体和至少一个读磁头元件之间的间距。间距的增加SG(nm/℃)大于通过下面的表达式界定的间距增加阈值SG_THLD(nm/℃)：SG_THLD＝A*dPTP+B；A＝1.4642E-02^*exp(-6.6769E-05^*LRD_MF)；B＝4.9602E-01^*exp(-2.0423E-03^*LRD_MF)。这里，dPTP表示通过加热，至少一个感应写头元件和/或至少一个读磁头元件的顶端的凸伸的变化量(nm)，LRD_MF表示在最大记录频率的一半频率处的线记录密度(kFCI)。

主权项

1.一种磁盘驱动设备，包括：磁记录媒体；薄膜磁头，该薄膜磁头包括至少一个感应写头元件、至少一个具有电流在平面内结构或者电流垂直于平面结构的巨磁阻效应读头元件或者至少一个隧道磁致电阻效应读头元件、以及除了所述至少一个感应写头元件的线圈导体之外的独立的加热元件，所述薄膜磁头可通过所述加热元件的加热来控制所述磁记录媒体和所述至少一个巨磁阻效应读头元件或者所述至少一个隧道磁致电阻效应读头元件之间的间距；表示该间距相对于所述至少一个读磁头元件中温度升高而变化的间距增加SG(nm/℃)大于由如下表达式界定的间距增加阈值SGTHLD (nm/℃)：SGTHLD＝A＊dPTP+BA＝1.4642E-02＊exp(-6.6769E-05＊LRDMF)B＝4.9602E-01＊exp(-2.0423E-03＊LRDMF)在此dPTP表示通过加热，所述至少一个感应写头元件和/或所述至少一个读磁头元件的顶端的凸伸的变化量(nm)，LRDMF表示在最大记录频率的一半频率处的线记录密度(kFCI)，所述线记录密度LRDMF(kFCI)的范围是301kFCI≤LRDMF≤704kFCI，所述凸伸的变化量dPTP(nm)的范围是2nm≤dPTP≤15nm。