有源元件以及开关电路装置

摘要

本发明涉及一种有源元件和开关电路装置。将单位HBT与单位FET经由分离区域相邻配置，将多个在单位HBT的基极与单位FET的源极连接而得的单位元件而连接而构成有源元件。由此，可得到电流难以向单位元件集中，不会由二次击穿而破坏的有源元件。另外，在单位FET中为确保耐压而采用掩埋栅极结构，通过使之成为不使掩埋部向InGaP层扩散的结构可防止Pt的反常扩散。另外，在单位HBT的发射极台面、基极台面形成及突缘形成及单位FET的栅极凹陷蚀刻中可使用选择性蚀刻，再现性良好。由此，可解决在HBT中实现增加基极电流提高电流密度会引起二次击穿，导致破坏的问题。

主权项

1.一种有源元件，其特征在于，具有：化合物半导体衬底，其层叠多个半导体层而成，在多个半导体层中至少一组(带隙不同的)半导体层间形成异质结；第一晶体管，其设置在所述衬底上，将所述半导体层的第一、第二、第三半导体层分别形成为集电极层、基极层、发射极层，并具有集电极、基极、发射极；第二晶体管，其设置在所述衬底上，并具有栅极、源极、漏极；单位元件，其为将所述第一晶体管和第二晶体管经由分离区域而邻接配置而成的单位元件，并将所述第一晶体管的所述基极和所述第二晶体管的所述源极连接，并联连接多个所述单位元件，并将所述各单位元件的所述第二晶体管的漏极与电源端子连接，通过输入到所述第二晶体管的所述栅极的电压信号使所述各单位元件的所述第一晶体管的集电极-发射极之间的电流变化。