| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，具有MIM电容器，该电容器包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜、由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下电极、形成在下电极上的电容器绝缘膜、和由形成在电容器绝缘膜上的第二金属膜组成的上电极。该半导体器件还具有由形成在第一绝缘膜上的第一金属膜组成的下互连、和由形成在下互连上的第二金属膜组成的上互连。该上互连和该上电极形成为一体。 | ||
| 申请公布号 | CN100463176C | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200510102919.2 | 申请日期 | 2005.09.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 濑尾晓;上田哲也;筒江诚 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：(a)在半导体衬底上形成第一绝缘膜；(b)在所述第一绝缘膜上形成均由第一金属膜组成的下电极和下互连；(c)在所述下电极上形成电容器绝缘膜；(d)在所述电容器绝缘膜上形成由第二金属膜组成的上电极，并在所述下互连上形成由所述第二金属膜组成的上互连，所述上互连和所述上电极在同一步骤中形成为一体，其中，所述步骤(b)用来在所述第一绝缘膜上形成所述第一金属膜，并且然后构图所述第一金属膜以形成所述下电极和所述下互连，所述步骤(c)用来形成所述电容器绝缘膜，从而以其覆盖所述下电极的上表面和侧表面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||