| 发明名称 | 化学机械抛光以及利用其制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种CMP方法。根据该CMP方法，在两个或更多层中形成的层间绝缘层被刻蚀以形成沟槽，并且光学测量该层间绝缘层的两个或更多层的厚度。在沟槽中顺序形成阻挡金属层和金属层。去除金属层的一部分，并且去除部分阻挡金属层和层间绝缘层。之后，再次光学测量该层间绝缘层的两个或更多层的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN100463136C | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200610126610.1 | 申请日期 | 2006.08.30 |
| 申请人 | 东部电子有限公司 | 发明人 | 郑映锡 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/66(2006.01);B24B49/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种化学机械抛光方法，包括：刻蚀包括两个或更多层的层间绝缘层，以在其中形成沟槽；光学测量所述层间绝缘层的两个或更多层的厚度；在所述沟槽中顺序形成阻挡金属层和金属层；去除所述金属层的一部分；去除部分所述阻挡金属层和部分所述层间绝缘层；以及再次光学测量所述层间绝缘层的两个或更多层的厚度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||