| 发明名称 | 非易失性存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非易失性存储装置以及一种制造所述非易失性存储装置的方法，所述非易失性存储装置可具有较高的集成密度、改善的或最佳的结构和/或降低或最小化相邻的单元之间的干扰，并且不使用SOI基底。所述非易失性存储装置可包括：半导体基底，包括主体和从主体突出的一对翅片；埋入绝缘层，填充在所述一对翅片之间；一对浮置栅电极，在所述一对翅片的外表面上并且其高度比所述一对翅片的高度高；控制栅电极，在所述一对浮置栅电极上。 | ||
| 申请公布号 | CN101369584A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200810134077.2 | 申请日期 | 2008.07.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 具俊谟;金锡必;陈暎究;金元柱;柳寅儆;朴允童 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;罗延红 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储装置，包括：半导体基底，包括主体以及从主体突出的一对翅片；埋入绝缘层，填充在所述一对翅片之间；一对浮置栅电极，在所述一对翅片的外表面上，所述一对浮置栅电极的高度比所述一对翅片的高度高；控制栅电极，在所述一对浮置栅电极上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||