| 发明名称 | 具有真空夹层的相变存储器元件 | ||
| 摘要 | 一种存储器器件，包含相变元件及真空夹层。所述器件包括第一电极元件；相变元件，与该第一电极元件接触；上电极元件，与该相变元件接触；位线电极，与该上电极元件接触；以及电介质填充层，环绕于该相变元件与该上电极元件之间，与两者分离且由该位线电极所封闭以定义环绕于该相变元件与该上电极元件之间的真空夹层。 | ||
| 申请公布号 | CN100463209C | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200610144786.X | 申请日期 | 2006.11.14 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 林锦辉 |
| 主权项 | 1.一种存储器器件，包含：第一电极元件；相变元件，其与所述第一电极元件接触；上电极元件，其与所述相变元件接触；位线电极，其与所述上电极元件接触；以及电介质填充层，环绕于所述相变元件与所述上电极元件且与两者分离，其中环绕于所述相变元件与所述上电极元件的一真空夹层(jacket)由所述位线电极所封闭及定义。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||