| 发明名称 | 晶片的表面平滑方法和其装置 | ||
| 摘要 | 将晶片的至少一侧表面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶片，该方法通过根据上述晶片表面的凸部而应用流体来减少凸部。或者通过在晶片表面上应用流体而将晶片表面整体进行平滑化，同时减少晶片表面的凸部。 | ||
| 申请公布号 | CN101371340A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200780002621.1 | 申请日期 | 2007.01.17 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 加藤健夫;桥井友裕;村山克彦;古屋田荣;高石和成 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 熊玉兰;韦欣华 |
| 主权项 | 1.晶片的表面平滑方法，其是将晶片的至少一侧表面进行平滑化的方法，所述晶片是将半导体晶锭进行切割而得到的晶片，该方法根据上述晶片表面的凸部而应用流体，由此减少该凸部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||