制造CMOS图像传感器的方法

摘要

本发明提供了一种制造互补型金属氧化物半导体图像传感器的方法，所述方法独立形成与复位晶体管的多层栅相连接的多路由线。在所述方法中，制备了限定器件隔离区和有源区的半导体衬底。然后，在有源区的预定部分形成多个多层栅。在半导体衬底的、位于所述多层栅一侧的部分中形成光电二极管。将氧化物层沉积在包括所述多层栅的半导体衬底上，之后选择性地除去该氧化物层，以形成露出所述多层栅的预定部分的氧化物层图案。将多晶硅层沉积在该氧化物层图案上，之后选择性地除去该多晶硅层，以形成与所述多层栅连接的路由线。

主权项

1.一种制造互补型金属氧化物半导体图像传感器的方法，所述方法包括：制备限定器件隔离区和有源区的半导体衬底；在该有源区的预定部分形成与转移晶体管、复位晶体管、选择晶体管和驱动晶体管对应的多个多层栅；在该半导体衬底的、位于所述转移晶体管的多层栅一侧的部分上形成光电二极管；将氧化物层沉积在包括所述多个多层栅的半导体衬底上，之后选择性地除去该氧化物层，以形成具有沟槽的氧化物层图案，所述沟槽用于使所述复位晶体管的多层栅的预定部分露出；以及将多晶硅层沉积在所述氧化物层图案上，之后选择性地除去该多晶硅层，以仅在所述氧化物层图案的沟槽中形成与所述复位晶体管的多层栅连接的路由线。