发明名称 |
具有相变化元件及非对称热边界的多级存储单元 |
摘要 |
本发明公开了一种具有相变化元件及非对称热边界的多级存储单元,该存储单元具有第一绝热材料与第二绝热材料,该第一绝热材料与第二绝热材料分别具有不同的导热性质,并与相变化材料的第一边界与第二边界具有导热关系。因此,当施加电流以增加存储材料的温度时,热能将以非对称的方式,沿着在电极之间垂直于电场线的方向扩散。 |
申请公布号 |
CN101369597A |
申请公布日期 |
2009.02.18 |
申请号 |
CN200810005319.8 |
申请日期 |
2008.01.30 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
龙翔澜;陈逸舟 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C11/56(2006.01);G11C16/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1.一种集成电路存储器,其特征在于,该存储器包含:多存储单元所组成的一阵列,包含一存取电路,该阵列中的该些存储单元分别包含:一存储材料,可施加电流使其在一较低电阻相态与一较高电阻相态之间转换,该存储材料利用一第一接触区域与一第二接触区域,分别与一第一电极和一第二电极耦接,由此在该第一电极与该第二电极之间的该存储材料中,定义一电场区域,而该存储材料在该第一接触区域与该第二接触区域之间,具有一第一边界与一第二边界,且其中该第一电极与该第二电极均与该存取电路耦接;以及一第一绝热材料与一第二绝热材料,其与该存储材料的该第一边界与该第二边界具有导热关系,该第一绝热材料与该第二绝热材料具有不同的导热系数,因此经由该第一绝热边界与该第二绝热边界流出该电场区域的热量非对称。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |