发明名称 薄膜形成方法及其装置
摘要 本发明涉及一种太阳能电池以及适合其量产的薄膜形成方法及其装置。形成将第一直线状导体和第二直线状导体的各自的第一端互相电连接的多个天线元件。通过将上述多个天线元件在平面上排列成第一直线状导体和第二直线状导体交互等间隔排列,设置在腔室内,从而形成一个以上的阵列天线。将上述各第一直线状导体的第二端与高频电源连接,将上述各第二直线状导体的第二端接地。在上述阵列天线的两侧平行地、分别以和上述间隔相同的间距设置多个基板。在上述腔室内导入原料气体,进行成膜。
申请公布号 CN100462477C 申请公布日期 2009.02.18
申请号 CN200380100884.8 申请日期 2003.10.03
申请人 石川岛播磨重工业株式会社 发明人 上田仁;高木朋子;伊藤宪和
分类号 C23C16/509(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L31/04(2006.01) 主分类号 C23C16/509(2006.01)
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人 郝庆芬
主权项 1.一种含有微结晶硅的硅薄膜形成方法,其特征在于:形成将第一直线状导体和第二直线状导体的各自的第一端互相电连接的多个天线元件,通过将上述多个天线元件在平面上排列成第一直线状导体和第二直线状导体交互等间隔排列,设置在腔室内,从而形成一个以上的阵列天线,将上述各第一直线状导体的第二端与高频电源连接,将上述各第二直线状导体的第二端接地,在上述阵列天线的两侧平行,且分别以离上述阵列天线的距离和上述间隔相同的方式设置多个基板,在上述各基板上进行成膜。
地址 日本东京都