半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种在大面积衬底上形成品质良好的微晶半导体膜的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，通过提供具有不同频率的高频电力产生辉光放电等离子体，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜的下部，然后在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜的上部。接触微晶半导体膜上地层叠缓冲层。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在所述栅电极上形成绝缘膜；将所述衬底引入到真空室内；将材料气体引入到所述真空室内；在所述真空室中，在第一成膜条件下形成微晶半导体膜的下部分，该第一成膜条件如下：通过将具有波长10m以上的频率的第一高频电力和具有小于波长10m的频率的第二高频电力重叠施加到产生辉光放电等离子体的电极，产生辉光放电等离子体；在衬底温度、电力、频率、材料气体流量、以及真空度中的至少一种与所述第一成膜条件不相同的第二成膜条件下，堆积所述微晶半导体膜的上部分；以及在所述微晶半导体膜上形成缓冲层。