用于产生亚衍射限制特征的光刻系统和方法

摘要

本发明提供用于近场光刻的系统和方法，其利用表面等离子体共振来实现对超过衍射限制的图案特征的成像。实例性近场光刻系统包含等离子体超透镜模板，所述等离子体超透镜模板包含多个待成像到光敏材料上的不透明特征和金属等离子体超透镜。所述不透明特征和所述金属超透镜由聚合物间隔物层分离。光传播穿过所述超透镜模板以在所述超透镜的另一侧上形成所述不透明特征的图像。包含固体或液体材料的中间层插入在所述超透镜与涂布有光致抗蚀剂的半导体晶片之间，以减少由所述超透镜模板与所述涂布有光致抗蚀剂的半导体晶片之间的接触造成的损害。

主权项

1.一种光刻系统，其用于曝光具有第一折射率并响应于具有波长λ的光的光敏材料，所述系统包含：多个特征，其对所述光不透明；介电材料，其设置在所述多个不透明特征的前方，所述介电材料对所述光大致具有透射性；超透镜，其设置在所述介电材料的前方且在所述光敏材料的后方；以及中间层，其介于所述超透镜与所述光敏材料之间，所述中间层包含对所述光大致具有透射性的材料，所述材料不同于所述光敏材料。