发明名称 |
一种光检测器及其制造方法 |
摘要 |
这里所公开的是一种适合在光学拾取再现装置中使用的光检测器,其能够在高速度下以高效率检测来自具有大容量的存储介质,如BD的短波长的光(如大约405nm的光),以及这种光检测器的制造方法。 |
申请公布号 |
CN100463196C |
申请公布日期 |
2009.02.18 |
申请号 |
CN200510008484.5 |
申请日期 |
2005.02.21 |
申请人 |
三星电机株式会社 |
发明人 |
姜信在;权敬洙;高主烈 |
分类号 |
H01L27/14(2006.01);H01L31/00(2006.01);G01J1/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/14(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种光检测器,包含:基底,用于支撑上层;外延层,其在所述基底上形成;至少一个重掺杂的第一类型指,其以相对于所述外延层厚度的小的深度部分嵌入在所述外延层中;至少一个重掺杂的第二类型指,其以相对于所述外延层厚度的小的深度部分嵌入在所述外延层中;第一类型阱,其在所述外延层中形成,被设置在所述重掺杂的第一类型指和所述重掺杂的第二类型指之外;重掺杂的第一类型电极单元,其以相对于所述第一类型阱厚度的小的深度完全嵌入在所述第一类型阱中;电路单元,其在所述重掺杂的第一类型电极单元上形成,以及再生长外延层,其在所述外延层、所述重掺杂的第一类型指和所述重掺杂的第二类型指上形成,其中所述第一类型和第二类型是处于相反的掺杂状态,所述外延层具有0.2到5μm的厚度,所述重掺杂的第一类型指具有0.09到5μm的宽度,所述重掺杂的第二类型指具有0.09到5μm的宽度,所述重掺杂的第一类型指和所述重掺杂的第二类型指之间具有1到20μm的间隔,所述基底具有1015到1021cm-3的杂质浓度,所述外延层具有5×1015cm-3或更低的杂质浓度,所述重掺杂的第一类型指具有1018到1021cm-3的杂质浓度,以及所述重掺杂的第二类型指具有1018到1021cm-3的杂质浓度。 |
地址 |
韩国京畿道 |