发明名称 |
动态随机存取存储器及其制造方法 |
摘要 |
一种动态随机存取存储器,具有一基底、一介电层、一接触窗插塞以及一电容器。介电层配置于基底上,且介电层具有一接触窗开口。接触窗插塞具有一第一部分与一第二部分,其中第一部分位于该接触窗开口中,而第二部分位于第一部分之上,可位于接触窗开口中或者突出于接触窗开口,且第二部分的宽度大于第一部分的宽度。电容器配置于介电层与接触窗插塞上,与接触窗插塞电连接。 |
申请公布号 |
CN100463185C |
申请公布日期 |
2009.02.18 |
申请号 |
CN200510092038.7 |
申请日期 |
2005.08.16 |
申请人 |
力晶半导体股份有限公司 |
发明人 |
黄承汉;游弼惠;徐子安 |
分类号 |
H01L27/108(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1、一种动态随机存取存储器,包括:一基底;一晶体管,配置于该基底上;一第一介电层,配置于该基底与该晶体管上,其中该第一介电层具有一接触窗开口;一接触窗插塞,该接触窗插塞的至少一部分位于该接触窗开口中;一导体间隙壁,位于该第一介电层之上且位于该接触窗插塞的侧壁上;以及一电容器,配置于该第一介电层、该导体间隙壁与该接触窗插塞上,与该接触窗插塞电连接。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |