发明名称 动态随机存取存储器及其制造方法
摘要 一种动态随机存取存储器,具有一基底、一介电层、一接触窗插塞以及一电容器。介电层配置于基底上,且介电层具有一接触窗开口。接触窗插塞具有一第一部分与一第二部分,其中第一部分位于该接触窗开口中,而第二部分位于第一部分之上,可位于接触窗开口中或者突出于接触窗开口,且第二部分的宽度大于第一部分的宽度。电容器配置于介电层与接触窗插塞上,与接触窗插塞电连接。
申请公布号 CN100463185C 申请公布日期 2009.02.18
申请号 CN200510092038.7 申请日期 2005.08.16
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 黄承汉;游弼惠;徐子安
分类号 H01L27/108(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L27/108(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1、一种动态随机存取存储器,包括:一基底;一晶体管,配置于该基底上;一第一介电层,配置于该基底与该晶体管上,其中该第一介电层具有一接触窗开口;一接触窗插塞,该接触窗插塞的至少一部分位于该接触窗开口中;一导体间隙壁,位于该第一介电层之上且位于该接触窗插塞的侧壁上;以及一电容器,配置于该第一介电层、该导体间隙壁与该接触窗插塞上,与该接触窗插塞电连接。
地址 中国台湾新竹市