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发明名称 ION-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING AN ION-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 EP1583957(B1) 申请公布日期 2009.02.18
申请号 EP20020808114 申请日期 2002.11.14
申请人 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. 发明人 KURTH, EBERHARD;KUNATH, CHRISTIAN;GRUEGER, HEINRICH
分类号 G01N27/414;G01N27/333 主分类号 G01N27/414
代理机构 代理人
主权项
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