| 发明名称 | 半导体激光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光二极管，包括：一有源层；一形成于该有源层之上的上包覆层；一形成于该有源层之下的第一下包覆层；一形成于该第一下包覆层下面的第二下包覆层；以及一形成于该第二下包覆层下面的衬底，其中，第一下包覆层的折射率与上包覆层的折射率相同，并且低于第二下包覆层的折射率。由于上和下包覆层具有以有源层为中心的不对称折射率，因此通过分散近场而使远场垂直光束发散角得以减小。 | ||
| 申请公布号 | CN100463314C | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200410104917.2 | 申请日期 | 2004.12.24 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 赵秀行 |
| 分类号 | H01S5/30(2006.01);H01S5/20(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/30(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光二极管，包括：一有源层，其中所述有源层由GaInP系列的化合物半导体组成；一形成于所述有源层之上的上包覆层，所述上包覆层由p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P组成；一形成于所述有源层之下的第一下包覆层；一形成于所述第一下包覆层下面的第二下包覆层；以及一形成于所述第二下包覆层下面的衬底，其中，所述第一下包覆层的折射率与所述上包覆层的折射率相同并且低于所述第二下包覆层的折射率，且其中所述第一下包覆层由n-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P组成，且其中所述第二下包覆层由(Al0.68Ga0.32)0.5In0.5P组成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||