制备窄掺杂剖面高性能半导体器件的结构和方法

摘要

制备窄掺杂剖面高性能半导体器件的结构和方法。该半导体器件包括含用于形成晶体管基极区掺杂质(86)的第一区域(82)的半导体衬底。临近第一区域的第二区域被用于形成晶体管的发射极区。填隙俘获材料(81)减少了后续热处理时基极区域的掺杂质扩散。

主权项

1.一种NPN异质结双极晶体管，其特征在于具有：半导体衬底，所述衬底具有含第一导电类型的第一掺杂质的用于形成所述晶体管的基极区的第一区域，其中，所述基极区的进一步特征在于具有：包括第一填隙俘获材料层的第一异质结层；和包含第一掺杂质且不含填隙俘获材料的第二异质结层，其中，所述第二异质结层与所述第一异质结层相邻，并且其中第二异质结层的第一掺杂质的浓度比第一异质结层高；以及第二区域，所述第二区域与所述第一区域相邻，所述第二区域包括第二填隙俘获材料层和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂质，其中，所述第一填隙俘获材料层与所述第二填隙俘获材料层是不相重叠的分离的层。