| 发明名称 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质。在等离子体处理装置中，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。 | ||
| 申请公布号 | CN101370349A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200810135193.6 | 申请日期 | 2008.08.15 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 松土龙夫;桧森慎司;今井范章;大瀬刚;阿部淳;胜沼隆幸 |
| 分类号 | H05H1/46(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01J37/32(2006.01) | 主分类号 | H05H1/46(2006.01) |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：能够真空排气的处理容器；在所述处理容器内载置被处理体的第一电极；在所述处理容器内与所述第一电极平行地相对的第二电极；向所述第一电极与所述第二电极之间的处理空间供给希望的处理气体的处理气体供给部；在所述第一电极和所述第二电极的至少一方上施加所述处理气体的等离子体生成用的第一高频的第一高频供电部；和以所述第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和所述第一高频具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制所述第一高频供电部的控制部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||