| 发明名称 | 脉冲激光退火系统结构 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供了用于退火半导体衬底的方法和装置。本发明的一个实施方式提供了包括设置成用于支撑衬底的第一衬底支架、设置成用于支撑衬底的第二衬底支架、连接到第一衬底支架并设置成在处理区和第一加载区之间移动第一衬底支架的梭，其中处理区具有设置成交替容纳第一衬底支架和第二衬底支架的处理体积。 | ||
| 申请公布号 | CN101369526A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200810210473.9 | 申请日期 | 2008.08.15 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 亚历山大·N·勒纳;蒂莫西·N·托马斯;森德·拉马默蒂 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/268(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1.一种半导体处理室，其包括：设置成支撑衬底的第一衬底支架；设置成支撑衬底的第二衬底支架；连接到第一衬底支架并设置成在处理区和第一加载区之间移动第一衬底支架的梭，其中处理区具有设置成交替容纳第一衬底支架和第二衬底支架的处理体积。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||