发明名称 |
吡喃衍生物 |
摘要 |
公开了一种能易于应用真空汽相沉积且呈长波长光的发光化合物。另外,还公开了不具有由于汽相沉积期间发光化合物的碳化导致的劣质发光性能的发光元件;以及包括该发光元件的发光设备。吡喃衍生物由右述通式1表示,其中R<SUP>1</SUP>是氢元素或烷氧基。 |
申请公布号 |
CN101369633A |
申请公布日期 |
2009.02.18 |
申请号 |
CN200810165712.3 |
申请日期 |
2004.10.27 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山县祥子;安部宽子;大泽信晴;野村亮二;濑尾哲史 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01);H01L51/54(2006.01);H01L51/00(2006.01);C07D455/04(2006.01);C09K11/06(2006.01) |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
韦欣华 |
主权项 |
1.发光设备,其包括:在基底上形成的第一电极;在所述基底上形成的第一层,该第一层包括具有空穴注入性能的物质;在所述第一层上形成的第二层,该第二层包括具有空穴传递性能的物质;在所述第二层上形成的第三层,该第三层包括吡喃衍生物和具有载体传递性能的物质;在所述第三层上形成的第四层,该第四层包括具有电子传递性能的物质;和在所述第四层上形成的第二电极;其中所述吡喃衍生物由下述通式(1)表示:其中R1是烷氧基。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |