| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | CMOS图像传感器及其制造方法，通过在滤色器下形成光感测单元，改善光敏性并防止光损失。CMOS图像传感器可包括在半导体基片上形成的多个晶体管；在所述多个晶体管之上形成的金属线，用于电连接所述多个晶体管；以及多个光电二极管，与所述多个晶体管电连接并形成于所述金属线之上。 | ||
| 申请公布号 | CN100463199C | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200510137609.4 | 申请日期 | 2005.12.26 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 孙贤浚 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐谦 |
| 主权项 | 1.一种CMOS图像传感器，包括：多个晶体管，形成于半导体基片上；金属电介质层，形成于其中形成有所述多个晶体管的半导体基片上；形成于金属电介质层中的金属线，用于电连接所述多个晶体管；多个光电二极管，形成于金属电介质层之上，通过金属线与所述晶体管电连接；直接形成在相应的光电二极管上的红、绿和蓝滤色器图案；形成于所述滤色器图案上的平坦化层；以及形成于所述平坦化层上的微透镜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||