| 发明名称 | P型碳化硅器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种P型碳化硅器件及其制作方法，包括碳化硅层、铝电极层，碳化硅层与铝电极层之间设有金纳米颗粒层。首先，采用溅射法在碳化硅层上淀积金纳米颗粒层，厚度约为100纳米，并进行退火处理，退火处理的温度为450～710℃，退火时间为8～10分钟，保护气体为氮气；然后，在金纳米颗粒层上制作铝电极层，制作出的P型碳化硅器件具有较好的欧姆接触性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101369600A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200710120302.2 | 申请日期 | 2007.08.15 |
| 申请人 | 北方工业大学 | 发明人 | 姜岩峰 |
| 分类号 | H01L29/45(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/45(2006.01) |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵镇勇 |
| 主权项 | 1.一种P型碳化硅器件，包括碳化硅层、铝电极层，其特征在于，所述碳化硅层与铝电极层之间设有金纳米颗粒层。 | ||
| 地址 | 100041北京市石景山区晋元庄5号 | ||