发明名称 | 一种实现选择性发射极太阳能电池的制作方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种实现选择性发射极太阳能电池的制作方法,其工艺步骤如下:先将p型单晶硅或者多晶硅片在常规扩散炉中进行较低浓度的n型扩散掺杂,获得80~300Ω/□的n型发射极掺杂效果;接着在常规银浆配方的基础上,在浆料中添加质量含量为5%-0.5%的高纯金属锑微粉,充分混合均匀后作为锑掺杂银浆;在电池正面采用丝网印刷工艺印刷锑掺杂银浆电极并烧结。本发明是一种成本低、工艺简单、便于控制,能大规模生产的实现选择性发射极太阳能电池的制作方法。该技术简单实用,完全和现有太阳能电池工艺兼容,能明显提高太阳能电池的光电转换效率,具有广泛的产业化价值。 | ||
申请公布号 | CN101369612A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
申请号 | CN200810143090.4 | 申请日期 | 2008.10.10 |
申请人 | 湖南大学 | 发明人 | 万青;易宗凤;赵斌;周棋 |
分类号 | H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
代理机构 | 长沙市融智专利事务所 | 代理人 | 邓建辉 |
主权项 | 1.一种实现选择性发射极太阳能电池的制作方法,其特征是:其工艺步骤如下:先将p型单晶硅或者多晶硅片在常规扩散炉中进行较低浓度的n型扩散掺杂,获得80~300Ω/□的n型发射极掺杂效果;接着在常规银浆配方的基础上,在浆料中添加质量含量为5%-0.5%的高纯金属锑微粉,充分混合均匀后作为锑掺杂银浆;在电池正面采用丝网印刷工艺印刷锑掺杂银浆电极并烧结。 | ||
地址 | 410082湖南省长沙市河西麓山南路2号 |