发明名称 一种实现选择性发射极太阳能电池的制作方法
摘要 本发明公开了一种实现选择性发射极太阳能电池的制作方法,其工艺步骤如下:先将p型单晶硅或者多晶硅片在常规扩散炉中进行较低浓度的n型扩散掺杂,获得80~300Ω/□的n型发射极掺杂效果;接着在常规银浆配方的基础上,在浆料中添加质量含量为5%-0.5%的高纯金属锑微粉,充分混合均匀后作为锑掺杂银浆;在电池正面采用丝网印刷工艺印刷锑掺杂银浆电极并烧结。本发明是一种成本低、工艺简单、便于控制,能大规模生产的实现选择性发射极太阳能电池的制作方法。该技术简单实用,完全和现有太阳能电池工艺兼容,能明显提高太阳能电池的光电转换效率,具有广泛的产业化价值。
申请公布号 CN101369612A 申请公布日期 2009.02.18
申请号 CN200810143090.4 申请日期 2008.10.10
申请人 湖南大学 发明人 万青;易宗凤;赵斌;周棋
分类号 H01L31/18(2006.01) 主分类号 H01L31/18(2006.01)
代理机构 长沙市融智专利事务所 代理人 邓建辉
主权项 1.一种实现选择性发射极太阳能电池的制作方法,其特征是:其工艺步骤如下:先将p型单晶硅或者多晶硅片在常规扩散炉中进行较低浓度的n型扩散掺杂,获得80~300Ω/□的n型发射极掺杂效果;接着在常规银浆配方的基础上,在浆料中添加质量含量为5%-0.5%的高纯金属锑微粉,充分混合均匀后作为锑掺杂银浆;在电池正面采用丝网印刷工艺印刷锑掺杂银浆电极并烧结。
地址 410082湖南省长沙市河西麓山南路2号