| 发明名称 | 用于制造和分离半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造和分离半导体结构的方法，包括以下步骤：(a)局部地形成附着至支撑结构(550)的半导体结构(514)，局部形成半导体结构包括多个局部形成器件，其中，多个局部形成器件(500a，500b，500c)通过至少一个连接层相互连接；(b)在多个局部形成器件的至少一部分上形成局部掩模层；(c)蚀刻连接层以分离器件；以及(d)去除局部掩模层。本发明的优点包括比传统技术更高的产量。此外，可以使用更廉价的设备来分离器件。结果是每单位时间和金钱更高的器件生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN101371338A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200580046250.8 | 申请日期 | 2005.11.15 |
| 申请人 | 沃提科尔公司 | 发明人 | 刘明哲 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;尚志峰 |
| 主权项 | 1.一种制造和分离半导体结构的方法，包括以下步骤：(a)局部地形成附着至支撑结构的半导体结构，所述局部形成半导体结构包括多个局部形成器件，其中，所述多个局部形成器件通过至少一个连接层相互连接；(b)在所述多个局部形成器件的至少一部分上形成局部掩模层；(c)蚀刻所述连接层以分离所述多个器件；以及(d)去除所述局部掩模层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||