| 发明名称 | 降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，用以降低氮化物只读存储器的字线干扰，该氮化物只读存储器具有一存储单元阵列，该阵列中的存储单元的栅极连接多条字线，该阵列中的存储单元的源极或漏极连接多条位线，其中，该方法包括以下步骤：对选中的存储单元编程；以及与此同时，对与选中的存储单元相邻的未选中单元的悬空的一端施加一特定的源极电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101369454A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200710044972.0 | 申请日期 | 2007.08.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈德艳;缪威权;陈良成;刘鉴常 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | G11C16/10(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种降低氮化物只读存储器的编程干扰的方法，用以降低氮化物只读存储器的字线干扰，该氮化物只读存储器具有一存储单元阵列，该阵列中的存储单元的栅极连接多条字线，该阵列中的存储单元的源极或漏极连接多条位线，其特征在于，该方法包括以下步骤：a.对选中的存储单元编程；以及b.在步骤a的同时，对与选中的存储单元相邻的未选中单元的悬空的一端施加一特定的源极电压。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||