用于场发射显示装置阴极的复合薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及的是一种纳米材料技术领域的用于场发射显示装置阴极的复合薄膜的制备方法，步骤包括：对CNT和CNF进行预处理，将其切短、纯化及表面改性；将CNT或CNF分散在锌电镀基础镀液中；运用复合共沉积方法沉积锌基碳纳米管复合薄膜和锌基碳纳米纤维复合薄膜；采用磨光、抛光工艺整平复合薄膜；使用刻蚀剂对复合薄膜进行的化学刻蚀；在刻蚀面上沉积一层铜铬电镀种子层；电镀所需要的基体金属(镍，银，金，铜等)；用稀盐酸Zn，形成CNT或CNF一部分根植在金属基体中，其余部分暴露在外，均匀分布在电极表层的“植布”效果。本发明可以用于制备高性能场发射器件。

主权项

1.一种用于场发射显示装置阴极的复合薄膜的制备方法，其特征是，包括步骤如下：第一步，首先对CNT和CNF进行预处理，包括将其敏化、切短和纯化；第二步，然后将预处理后的CNT或CNF分散在电镀基础镀液中；第三步，接着电镀沉积锌基碳纳米管或锌基碳纳米纤维复合薄膜，制备出CNT或CNF分布均匀的复合薄膜；第四步，将复合薄膜磨平抛光；第五步，再对整平后的复合薄膜表层金属进行均匀地化学刻蚀，控制刻蚀深度，使表层CNT或CNF向外的一端暴露在锌基体之外，向内的根部仍然保留在基体中；第六步，在刻蚀过的复合薄膜上溅射一层铜铬电镀种子层；第七步，电镀所需的作为场发射阴极基体的金属；第八步，去掉Zn牺牲层，得到纳米管一部分裸露、一部分根植于金属基体之中的金属基纳米管复合微结构。