| 发明名称 | 用于制造氮化铝晶体的方法、氮化铝晶体、氮化铝晶体衬底和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供制造AlN晶体的方法，及AlN晶体、AlN晶体衬底和使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件，其能够得到具有有利特性的半导体器件。本发明的一个方面是AlN晶体制造方法，该方法包括在SiC籽晶衬底的表面上生长AlN晶体的步骤，和取出从SiC籽晶衬底表面到AlN晶体中的位于2mm至60mm范围内的AlN晶体的至少一部分的步骤。此外，本发明的其它方面是由该方法制造的AlN晶体和AlN晶体衬底，及使用该AlN晶体衬底制造的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101370972A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200780003077.2 | 申请日期 | 2007.01.10 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 水原奈保;宫永伦正;川濑智博;藤原伸介 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);H01L21/338(2006.01);H01L29/812(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种氮化铝晶体的制造方法，包括：在SiC籽晶衬底的表面上生长氮化铝晶体的步骤；和取出从SiC籽晶衬底表面到氮化铝晶体中的位于2mm至60mm范围内的氮化铝晶体的至少一部分的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||