非挥发性半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明之非挥发性半导体记忆装置系包含串联连接电可重写之复数记忆胞之复数记忆体串。前述记忆体串系包含：对基板向垂直方向延伸之柱状半导体；接于前述柱状半导体且蓄积电荷之第1电荷蓄积层；接于该第1电荷蓄积层之第1区块绝缘膜；及接于该第1区块绝缘膜之第1导电膜。