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发明名称
半导体结构与其形成方法
摘要
一种半导体结构,包括一耐火金属矽化层;一富矽耐火金属矽化层于该耐火金属矽化物上;以及一富金属耐火金属矽化层于该富矽耐火金属矽化层上。该耐火金属矽化层、该富矽耐火金属矽化层与富金属耐火金属矽化层包括相同的耐火材料。该半导体结构构成一金氧半元件之闸极电极的一部份。
申请公布号
TW200908162
申请公布日期
2009.02.16
申请号
TW097125668
申请日期
2008.07.08
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
赵元舜;荆凤德;洪彬舫;颜丰裕;林纲正;黄国泰
分类号
H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01)
主分类号
H01L21/336(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文;颜锦顺
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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