制造半导体装置之方法

摘要

本发明提供一种用于制造一半导体装置之方法，该方法包括：在形成有一蚀刻目标层之一基板上以特定间隔来形成复数个第一硬式光罩图案；沿着形成有该等第一硬式光罩图案之该基板之一梯阶形成一牺牲层；在该牺牲层上形成一第二硬式光罩层；蚀刻该第二硬式光罩层之一部分以曝光该牺牲层且形成保留于该等第一硬式光罩图案之间的第二硬式光罩图案；移除该等第一硬式光罩图案与该等第二硬式光罩图案之间的该牺牲层；及使用该等第一硬式光罩图案及该等第二硬式光罩图案作为一蚀刻光罩来蚀刻该蚀刻目标层。