非挥发性记忆体装置及读取单元的方法

摘要

本发明揭示一种非挥发性装置及操作该装置之方法，该方法包括与一记忆体单元之群组之一临限电压分布之变化呈函数关系地改变用于读取一记忆体单元之不同群组之一读取参考位准。改变步骤可包括：决定与一非挥发性记忆体单元阵列之一记忆体单元群组相关联之一历史单元之一历史读取参考位准，以及比较感测之逻辑状态分布与储存之逻辑状态分布。