雷射结晶制程以及雷射制程

摘要

本发明提出一种雷射结晶制程，其可应用于堆叠元件结构的制作。此方法首先提供基材，且基材上已形成有多个主动元件。接着在基材上形成第一介电层，并且在第一介电层上形成多层膜反射层。之后，在多层膜反射层上形成第二介电层，并且在第二介电层上形成多个非晶矽岛状物。接着进行雷射回火步骤，以使非晶矽岛状物进行结晶反应而形成多晶矽主动层。