半导体装置之制造方法

摘要

本发明系于在绝缘膜开口之连接孔内部，避免经由钛膜上形成有氮化钛膜之叠层构造之障壁金属膜而埋入有金属膜之连接部之故障。本发明系形成接触孔C1，于其底部使矽化镍层14露出后，藉由使用TiCl#sB!4#eB!气体之热反应来形成热反应Ti膜21a，并藉由使用TiCl#sB!4#eB!气体之电浆反应来形成电浆反应Ti膜21b，施以使用H#sB!2#eB!气体之电浆处理，减低电浆反应Ti膜21b之氯浓度，同时使矽化镍层14表面之氧化膜还原，施以使用NH#sB!3#eB!气体之热氮化处理及使用NH#sB!3#eB!气体之电浆处理，于电浆反应Ti膜21b之表面形成富含氮Ti膜21c，同时使矽化镍层14表面之氧化膜还原。