制作线型凹入式通道ＭＯＳ电晶体元件之方法

摘要

本发明之制作线型凹入式通道MOS电晶体元件的方法系在一浅沟绝缘制程完成之后，利用一微影制程形成线型闸极沟渠，此外，本发明之方法可以将关键尺寸变异量控制在精密半导体制程所要求的变异范围之内，因此可以避免电晶体之间短路的问题。