发明名称 磁性记忆胞结构与磁性记忆装置
摘要 一种磁性记忆胞结构,包括一第一反铁磁层。一第一固定层,形成于第一反铁磁层之上。一穿隧能障绝缘层,形成于第一固定层之上。一自由层,形成于穿隧能障绝缘层之上。一金属层,形成于自由层之上。一第二固定层,形成于金属层之上。一第二反铁磁层,形成于第二固定层之上。
申请公布号 TW200907964 申请公布日期 2009.02.16
申请号 TW096129379 申请日期 2007.08.09
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 李元仁;王丁勇;洪建中
分类号 G11C11/15(2006.01) 主分类号 G11C11/15(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号