发明名称 | 磁性记忆胞结构与磁性记忆装置 | ||
摘要 | 一种磁性记忆胞结构,包括一第一反铁磁层。一第一固定层,形成于第一反铁磁层之上。一穿隧能障绝缘层,形成于第一固定层之上。一自由层,形成于穿隧能障绝缘层之上。一金属层,形成于自由层之上。一第二固定层,形成于金属层之上。一第二反铁磁层,形成于第二固定层之上。 | ||
申请公布号 | TW200907964 | 申请公布日期 | 2009.02.16 |
申请号 | TW096129379 | 申请日期 | 2007.08.09 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 李元仁;王丁勇;洪建中 |
分类号 | G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |