| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置及其制造方法，上述半导体装置可抑制因埋入贯通基板之开口部内的导电层与基板或焊垫之热膨胀系数之差而产生的龟裂或剥落、及具有动作时之发热密度不同之区域的半导体元件之温度梯度。上述半导体装置之构成为：于半导体基板10之活性面上形成有第1电子电路11、第2电子电路12及焊垫电极13，形成有自半导体基板10之活性面相反侧之面至基板中途深度为止的第1接触孔CH1及到达焊垫电极13的第2接触孔CH2，被覆第1接触孔CH1及第2接触孔CH2之侧壁面而形成有绝缘层20及导电层21，并自活性面相反侧之面至半导体基板中途深度而形成有第3开口部(隔热用开口部IH及/或散热用开口部)，形成有隔热部(保护膜22)及/或热传导层。 |
