锗与矽-锗合金中的接面场效电晶体以及彼之制造与应用方法

摘要

本发明有关形成在含有锗之基材中的接面场效电晶体（JFET）。具有多晶半导体表面的JFET与形成在其上面的自对准矽化物及自表面接点将杂质热驱入该基材所形成的自对准源极、汲极和闸极区，及经植入的连接区（link region）接触。其他具有多晶半导体闸极表面接点及金属背闸极、源极及汲极接点，且该闸极表面的金属表面接点与经植入的源极和汲极及自对准的闸极区接触。具有多晶半导体闸极表面接点及金属背闸极、源极和汲极接点及该闸极表面的金属表面接点的JFET与经植入的源极和汲极及形成在该源极、汲极和背闸极接点顶部上及在该闸极多晶半导体闸极接点顶部上之自对准的闸极区和矽化物接触，该等金属表面接点使该经植入的源极和汲极及该自对准的闸极区和矽化物电接触。