沟渠结构及形成此沟渠结构的方法

摘要

本发明揭示改良之深沟渠电容器结构及并入此深沟渠电容器结构之记忆体装置的具体实施例。深沟渠电容器及记忆体装置具体实施例形成于绝缘体上半导体(SOI)晶圆上，致使绝缘体层在后续深沟渠蚀刻制程期间保持原封不动，及视情况致使深沟渠电容器的深沟渠在不同的深度具有不同的形状及大小。由于形成深沟渠在不同的深度具有不同的形状及大小，可使电容器的电容选择性地有所变化及降低记忆体装置中连接电容器与电晶体之埋藏导电带的电阻。