氮化物系半导体层积构造以及半导体光元件与其制造方法

摘要

本发明的氮化物系半导体积层构造，因为包括:基板及p型氮化物系半导体层(其系配设于该基板上，且使用有机金属化合物的III族原料、含有氨与联氨衍生物的V族原料、及p型杂质原料所形成，且含有的碳浓度在1×10#sP!18#eP!cm#sP!-3#eP!以下)，因此将可构成含有低电阻值p型氮化物系半导体层，且动作效率佳的氮化物系半导体积层构造。