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发明名称
侦测晶圆载入电浆处理系统之技术
摘要
本发明揭露电浆处理系统中之晶圆充电侦测技术。在一特定例示性实施例中,所述技术可实现为于电浆处理系统中之侦测晶圆充电的设备。所述设备可包括电浆腔室,用于在所述电浆腔室中之晶圆上方产生电浆放电。所述设备亦可包括偏置电路,用于使所述晶圆偏置以自所述电浆放电朝向所述晶圆汲取离子。所述设备可更包括侦测机构,用于藉由量测所述晶圆之上表面附近之一或多个指定位置中之电场来侦测所述晶圆上之电荷积累。
申请公布号
TW200908101
申请公布日期
2009.02.16
申请号
TW097121761
申请日期
2008.06.11
申请人
瓦里安半导体设备公司
发明人
沃特 史帝文R;具本雄;琳赛 伯纳德 葛列格里
分类号
H01L21/265(2006.01);H01L21/66(2006.01)
主分类号
H01L21/265(2006.01)
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
美国
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