发明名称 | CMOS影像感测元件之制作方法 | ||
摘要 | 一种CMOS影像感测元件之制作方法,包含有提供一定义有一感测器阵列区与一周边区之基底、于该周边区形成至少一接触垫、形成一覆盖该接触垫之第一介电层、进行一第一蚀刻制程,移除部分该第一介电层,以暴露出该接触垫并形成一突起。于该周边区内形成一光挡层,并形成复数个彩色滤光片于该感测器阵列区内。最后,于该等彩色滤光片及该光挡层上形成一平坦层,并于平坦层表面形成复数个微透镜。 | ||
申请公布号 | TW200908307 | 申请公布日期 | 2009.02.16 |
申请号 | TW096129614 | 申请日期 | 2007.08.10 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 高境鸿 |
分类号 | H01L27/14(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |