发明名称 显示装置及其制造方法
摘要 本发明的目的在于提供一种具有其临限值受控且可靠性高的薄膜电晶体的显示装置的制造方法。本发明的技术要点如下:在闸极电极上形成闸极绝缘膜,在闸极绝缘膜上形成微晶半导体膜,藉由离子注入法将用来控制临限值的杂质元素添加到微晶半导体膜中,然后藉由照射雷射光束改善微晶半导体膜的结晶性。接着,在微晶半导体膜上形成缓冲层,以形成通道蚀刻型薄膜电晶体。进而还制造具有该薄膜电晶体的显示装置。
申请公布号 TW200908341 申请公布日期 2009.02.16
申请号 TW097127649 申请日期 2008.07.21
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本