发明名称 随机存取记忆体的电容之下电极的制作方法及其下电极
摘要 一种随机存取记忆体的电容之下电极的制作方法及其下电极,该方法包含形成一电极基材结构于一隔离层之凹槽内;沉积一金属层覆盖该电极基材结构;使该电极基材结构以及该金属层两者形成一化合物;以及去除该金属层未形成该化合物的部分。该下电极设于凹槽的壁面上,并由一电极基材结构与一金属层两者所形成之一化合物所形成。
申请公布号 TW200908227 申请公布日期 2009.02.16
申请号 TW096128903 申请日期 2007.08.06
申请人 茂德科技股份有限公司 发明人 吴孝哲;李名言;蔡文立
分类号 H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L21/8242(2006.01)
代理机构 代理人 王宗梅
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼