| 摘要 |
在一种记忆体装置及一种程式化该记忆体装置之方法中，一记忆体装置包含：复数个记忆体单元，每一记忆体单元包含一具有一初始电阻之电阻可变材料，该初始电阻系回应于一在一程式化操作中施加之程式化电流而判定；及一修改电路，其在该记忆体单元之一程式化操作之后藉由在一饱和操作中施加一饱和电流而修改该记忆体单元之电阻以使该记忆体单元之该电阻自该初始电阻变化为一第二电阻。每一记忆体单元连接至该记忆体装置之一导线，该导线用以在该程式化操作中施加该程式化电流以程式化该相应记忆体单元之该电阻，用以在该饱和操作中向该相应记忆体单元施加该饱和电流且用以在一后续读取操作中施加一读取电流以读取该相应记忆体单元之该电阻。 |
