| 发明名称 |
运用反成核层之具有可选择缺口的空气间隙 |
| 摘要 |
本发明揭示一种在一半导体装置内形成空腔之方法。该方法包含在该半导体装置之一ILD层内的空腔之内表面上沈积一反成核层。此反成核层防止随后沈积之介电层形成于该等空腔内。藉由防止此等层之形成，电容得以减小，藉此导致改良之半导体效能。 |
| 申请公布号 |
TW200908210 |
申请公布日期 |
2009.02.16 |
| 申请号 |
TW097113062 |
申请日期 |
2008.04.10 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
楼伦斯Ａ 凯文爵尔;马修Ｅ 寇伯恩;丹尼尔Ｃ 艾德尔史汀;苏姆 波诺斯;奎格瑞 瑞塔 |
| 分类号 |
H01L21/76(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/70(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
